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J-GLOBAL ID：201602003348780480 整理番号：65A0163208
Si-SiO
2
の界面における導電率の温度依存性
Temperature dependence of conductivity of siliconsilicon dioxide interface
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著者 (1件)：
DESHPANDE R Y
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資料名：
Solid-State Electron (Solid-State Electronics)
Solid-State Electron について
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巻：
8
号：
8
ページ：
619-630
発行年：
1965年
JST資料番号：
H0225A
ISSN：
0038-1101
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
原著論文
発行国：
イギリス (GBR)
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高比抵抗のP形シリコンに部分的に燐を拡散する際に,キヤリァガスとして窒素,酸素,水素を用いた。電界効果形の構造を形成し逆転層の導奄率を温置の関数として測定し,それぞれの不純物レベルの活性化エネルギーを計算した。その際に,表面電荷密度,有効キヤリァ移動度と不純物レベルが用いられた。表面の完全なエネルギーレベルの図が得られた。熱処理による効果に対するいろいろな理論が考えられるが,やはり界面におけるSi-Oxの化合物の沈殿または形成が重要である。窒素ガス中での処理は移動度か実際の値と理論値とかけはなれていることを示した;図9表3参24
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