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J-GLOBAL ID：201602003353867098   整理番号：71A0048098

電子ビーム励起GaAsレーザにおける内部Qスイッチング

著者 (4件)： MASUYAMA A ,  KAWABE M ,  MASUDA K ,  NAMBA S
資料名： Proc Conf Solid State Dev  (Proceedings of the Conference on Solid State Devices)
巻： 1970  ページ： 161-165  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0652A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaAs注入型レーザで既に観測されている,内部Qスイッチによる光パルスがP型GaAsを電子線で励起した場合に観測された。発光スベクトルの半値幅は通常のレーザ発光と同じ50Åである。62.K以上でこの現象は観測され‘長い遅れ時間を有するが,これは’二重アクセブタ型のトラップモテルで説明される;写図8表1参10

準シソーラス用語： GaAsレーザ ,  Qスイッチ ,  電子ビーム励起

タイトルに関連する用語 (3件)： GaAs ,  レーザ ,  Qスイッチング