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J-GLOBAL ID：201602003370450176   整理番号：71A0034154

炭素ケイ素における相変態,晶癖変化二と結晶成長

Phase transformations, habit changes and crystal Rrovth in SiC.

著者 (2件)： BOOTSMA G A ,  VERSPCI G
資料名： J Cryst Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 8  号： 4  ページ： 341-353  発行年： 1971年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多形2H,3C.4H,15Rのsicについて1気圧Ar中の半密閉si/c/c系焼なましにおける上記の研究を行なった。1500-2830°Cではすべて6H構造小板に変態した。2Hホイスカの6H結晶への転移は準安定3Cを経て行なわれる。2H→3C変態に較べて3C,4H,15Rの6Hへの転移速度は小さく.その活性化エネルギーは約140kca1/mo1であった。これらすべての過程で同じ分子ステップが速度を決定している;写図7表4参22

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  相転移 ,  多形 ,  炭化けい素
準シソーラス用語： 相変態

タイトルに関連する用語 (4件)： 炭素ケイ素 ,  相変態 ,  晶癖 ,  結晶成長