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J-GLOBAL ID:201602003385095917   整理番号:60A0009673

半導体ZrO2薄膜

Пленки полупроводниковой ZгО.
著者 (2件):
資料名:
巻:号: 10  ページ: 2567-2569  発行年: 1960年 
JST資料番号: R0029B  ISSN: 0367-3294  CODEN: FTVTA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 旧ソビエト連邦 (SUN) 
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ZrO2結晶にSnまたはBiを不純物として加えることによってρ20°C~10~108Ω・cmの半導体をうることができる,半導体ZrO2薄膜は力学的にも化学的にもつよい。可視光に対して透明で,表面伝導度は10-6~10-8Ω-1cm-1である
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