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J-GLOBAL ID：201602003423168915   整理番号：71A0048130

n型シリコンとゲルマニウムの赤外自由キャリア・ファラテイ効果に関する一軸性応力の影響

The influence of uniaxial stress on the infrared free carrier Faraday effect in n-type silicon and germanium.

著者 (3件)： WALTON A K ,  REIMANN P L ,  EVERETT C R
資料名： J Phys C  (Journal of Physics. C. Solid State Physics)
巻： 4  号： 2  ページ： 201-222  発行年： 1971年 
JST資料番号： B0914A  ISSN： 0022-3719  CODEN： JPSOAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多谷半導体に一軸性応力によるキャリアのファラティ回転を磁気誘導放射伝搬,応力の方向を平行にして実験を行なった。シリコンに対して室温での伝導電子の有効質量はm,篇(0.228±0,01)mとm,=(0,98±0.13)mであった。応力のある場合の理論的解析もおこなった;写図13表1参22

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  半導体
準シソーラス用語： Faraday回転 ,  シリコン ,  応力効果

タイトルに関連する用語 (6件)： N型シリコン ,  ゲルマニウム ,  赤外 ,  自由キャリア ,  一軸性 ,  応力