抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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スエーデン国防研究所の3MeVヴァン・ド・グラーフ加速器に高周波偏向電極とモブレ電磁石を装置して,ns程度の短パルス・ビームを発生しているが,それについて述べている。加速器のビームは2Mcで変調され,約10nsのパルス幅で5~20μA平均出力ビームになる。このパルス・ビームをさらに短かくバンチするために:,0.05 rad の偏向電極と曲率半径60cm,間隙6cmの電磁石を組み合せた系が設計・製作された。加速ビームはまずピックアップ電極内を通過し,信号を発生する。信号は分布増幅器で増福され周波数てい倍回路に入り最後に電力増幅されて偏向電極に印加される。電力増幅はPhilips,TB4/1250型2台をpush-pull接続したものが用いられ,電極は間隙が12~21mmの範囲で可変の幅35mm長さ38cmのニッケル・メッキ銅板が用いられている。試験にはTaターゲットを用い,それからの信号を観測用スコ-プとしてテクトロニクス561Aにサンプリング・ユニット・プラグイン3S76と3T77を用いて観測する。バンチなしのビーム・パルスは立上り時間10ns,尖頭電流0.5mAであったが,バンチされたビーム・パルスは立上り1ns,電流約3mAのものが得られたと報告している;図4表1参4(河原崎 雄紀)
