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J-GLOBAL ID：201602003452281402   整理番号：72A0133914

チョクラルスキー法によるけい素単結晶の成長過程における“融液-せん端-結晶”系での軸方向の温度こう配と半径方向の温度差の変化

Об изменении осевых температурных градиентов и радиальных температурхых перепадов в системе расплав - столбик - кристалл в процессе вырашивания кристаллов кремния методом Чохральского.

著者 (3件)： ТУРОВСКИЙ Б М ,  ЧЕРЕМИН К Л ,  КАГАНОВСКИЙ И П
資料名： Fiz Khim Obrab Mater  (Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov)
号： 2  ページ： 142-146  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0266A  ISSN： 0015-3214  CODEN： FKOMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： チョクラルスキー法によるけい素単結晶育成の種々の殺階で軸方向と半径方向の温度こう配を実験的に決定した。0.J.5mm/minの成長速度では結晶表面での方が中心部における軸方向温度こう配が大きい。育成過程でのるつぼ中の融解レベルの低下による軸方向温度こう配の中心部における変化特性は成長(引上げ)速度に依存する。しかし引上げ速度を低くすると.実際上一定の軸方向温度こう配をもつ結晶領域が増大する1写図3参7

準シソーラス用語： Czochralski法 ,  シリコン

タイトルに関連する用語 (10件)： チョクラルスキー法 ,  けい素 ,  単結晶 ,  成長過程 ,  融液 ,  せん ,  結晶 ,  温度こう配 ,  半径方向 ,  温度差