抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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Si-AIN-SiCヘテロ接合双安定スイッチングデバイスについて紹介。このデバイスのI-V特性は,順方向臨界電圧V
rまでは喬インピーダンス状態を示し,V
fに達すると低インピーダンズ栽態にスイッチし数日間この状態は持続する。このデバイスを高インピーダンスに復帰させるには逆バイアスをかけて臨界軍流I
Rを流してやればよい。またこのデバイスは上記の中問インピーダンス紫態を覧持っているとしている。このデバイスの製法についての詳細も述べており,またAINの薄層は単結晶であるが高いエッチピット密度を有ず胴,のであると説明した茎写図3
