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J-GLOBAL ID：201602003470902074   整理番号：65A0019586

CdS ,CdSe ,Cd_x-CdSe_1-x 単結晶の再結晶中心パラメー タの決定

Виэначеня параметр в рекомбIнацIйних цент-рIв у СdS -, CdSe- та Сds_x - CdSe1-_x.

著者 (2件)： РМОЛОВИЧ Б ,  ШЕЙНКМАН М К
資料名： Ukr Fiz Zh  (Ukrainskij Fizicheskij Zhurnal)
巻： 9  号： 10  ページ： 1153-1157  発行年： 1964年 
JST資料番号： R0202A  ISSN： 0503-1265  CODEN： UFZHA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 

抄録/ポイント： 5×10^-6s程度のインパルス源と著者らの測定方法(1963)を用いて標題の各単結晶およびさらにCdS薄膜のS_er(遅い再結晶中心による電子捕獲断面)と〓_r(中心の濃度)を決定。S_es(速い中心による断面)は2×10⁷sのインパルス源を用い,CdSe,とCdS_x-CdSe_1-x単結晶についてだけ決定された

タイトルに関連する用語 (4件)： CdS ,  CdSe ,  単結晶 ,  再結晶