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J-GLOBAL ID：201602003478134831   整理番号：65A0021874

イオン照射でシリコンとゲルマニウムに注入したちっ素のドナー的性質

О донорных свойствах бзота,введенного в кремний и германий ионной бомбардировкой.

著者 (4件)： ПАВЛОВ П В ,  ЗОРИН Е И ,  ТЕТЕЛЬБАУМ Д И ,  ПОПОВ Ю В
資料名： Dokl Akad Nauk SSSR  (Doklady Akademii Nauk SSSR)
巻： 163  号： 5  ページ： 1128-1130  発行年： 1965年 
JST資料番号： R0025A  ISSN： 0002-3264  CODEN： DANKA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN) 

抄録/ポイント： エネルギー50KeV,電流密度20μQ/cm²のちっ素のイオン流をP形シリコンに当てて作った,P-N接合の電圧-電流特性を測定し,照射前の試料の特性と比較した.注入されたちっ素はドナーとして入っている事が示された.ゲルマニウムでも同様な結果を得た;図1参7

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン照射 ,  シリコン ,  ゲルマニウム ,  注入 ,  ちっ素 ,  ドナー ,  性質