抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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エレクトロニクス材料開発のために必要な光学的諸特性の高精度測定に関し,昨年金材研に設置された測定装置による電気磁気材料研究部金属内化合物研究室のII-W-V
2族3元化合物半導体の基礎的データの測定結果を紹介。この装置はPerkin-Elmer社製,F8,焦点距離580mm,分解能0.1Aであり,測定結果の例としてはCdSiP
2l溶液成長法による大きさ納3×2mm
2の単結晶板)の赤外域における透過スペクトルを示しており,そのほかカルコゲンクロマイト磁性半導体,Fe-Al合金の光学的性質も測定している;写図2