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J-GLOBAL ID:201602003503337025   整理番号:71A0278715

化合物半導体の光学的性質に関する研究

資料名:
号:ページ:発行年: 1971年 
JST資料番号: G0263A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 解説  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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エレクトロニクス材料開発のために必要な光学的諸特性の高精度測定に関し,昨年金材研に設置された測定装置による電気磁気材料研究部金属内化合物研究室のII-W-V2族3元化合物半導体の基礎的データの測定結果を紹介。この装置はPerkin-Elmer社製,F8,焦点距離580mm,分解能0.1Aであり,測定結果の例としてはCdSiP2l溶液成長法による大きさ納3×2mm2の単結晶板)の赤外域における透過スペクトルを示しており,そのほかカルコゲンクロマイト磁性半導体,Fe-Al合金の光学的性質も測定している;写図2
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