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J-GLOBAL ID：201602003518994634   整理番号：72A0200986

CuInTe₂の均質領域

Исследование области гомогенности CuInTe₂.

著者 (3件)： РОГАЧЕВА Е П ,  ДЗЮБЕНКО Н П ,  ПАНАСЕНКО Н М
資料名： Izv Akad Nauk SSSR Neorg  (Izvestiya Akademii Nauk SSSR. Neorganicheskie Materialy)
巻： 7  号： 8  ページ： 1447-1448  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0254A  CODEN： IVNMA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 半導体の化学物理の重要な問題の1つは,半導体化合物の成分の化学量論的溶解の可能性の研究である。本文ではCu-ln-Teの三角形の異なった断面で,CuInTe,化合物中の室温における組成成分の溶解度を調べた。試料は,高純度の元素を排気した石英アンプル中で1100-1150°Cで加熱し,その後12-16時間冷却し合成した。更に均質化する焼鈍を行った。CulnTe,組成の点を通過するCu-ln-Te三元系の14の断面で,異なった組成をもつ50の合金を作り,固溶体領域の限界をミクロ組織とミクロかたさ分析によって調べた;写図2参5

シソーラス用語： インジウム ,  テルル ,  銅 ,  半導体 ,  溶解度
準シソーラス用語： テルル化インジウム銅