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J-GLOBAL ID：201602003614104011   整理番号：71A0026394

直方体形のゲルマニウム単結晶の育成

Выращивавие монокристаллов термания прямоугольной формы.

著者 (3件)： САЧКОВ Г В ,  АНТОНОВ П И ,  СТЕПАНОВ А В
資料名： Izv Akad Nauk SSSR Ser Fi  (Izvestiya Akademii Nauk SSSR. Seriya Fizicheskaya)
巻： 35  号： 3  ページ： 461-463  発行年： 1971年 
JST資料番号： R0045A  ISSN： 0367-6765  CODEN： IANFA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： ステパノブ法により種々の寸法の直方体形のゲルマニウム単結晶を育成した。これらの単結晶には種々の程度の合金および種々の方位の雑晶が伴なっている。得られた単結晶の外観を示すとともに,5個の単結晶試料について寸法(10×10~40×30m²),成長軸方位(〔100〕,〔110〕,〔111〕),比抵抗(0.002~5.0Ω・cm)および転位密度(1・103~2.104cm²)をかかげた;写図2表1参7

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  結晶成長 ,  転位 ,  導電率
準シソーラス用語： 転位密度 ,  電気抵抗率

タイトルに関連する用語 (3件)： 直方体 ,  ゲルマニウム ,  単結晶の育成