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J-GLOBAL ID：201602003634562040   整理番号：71A0248722

不純物を添加しないエピタキシャルGaAsのキャリア濃度の変化

Variation of the carrier concentration of epitaxial GaAs without addition of dopants.

著者 (1件)： KNAPPETT J E
資料名： Solid-State Electron  (Solid-State Electronics)
巻： 14  号： 3  ページ： 185-190  発行年： 1971年 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： エピタキシャルGaAsのキャリア濃度の成長条件変化による効果については,多くの研究が行なわれている。不純物を特にドープしなければ高抵抗P形試料を生成する装置で故意にドーピングすることなしに1cm³中10¹³から10¹⁵にわたるN形試料を生成可能なことがわかった。この方法は炉内ガス中でのAsに対するGa比に依存する。これは空位数および添加物の価数を通してキャリア濃度に影響を及ぼす。これによって装置設計あるいは装置操作が簡単になる;写図7参18

シソーラス用語： エピタクシー ,  ひ化ガリウム
準シソーラス用語： エピタキシャル成長

タイトルに関連する用語 (4件)： 不純物 ,  エピタキシャル ,  GaAs ,  キャリア濃度