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J-GLOBAL ID：201602003641684828   整理番号：70A0032405

Ge-GaAsのトンネルヘテロ接合におけるTAフォノンのコヒーレントおよび非コヒーレントな誘導放出

Simultaneous coherent and incoherent T.A. phonon emission in Ge GaAs tunnel heterojunctions.

著者 (2件)： LAUGTER A ,  MESNAR D G
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 8  号： 2  ページ： 83-80  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： N形GeとP形GaAsの溶液から成長させたヘテロ接合の電流電圧特性を測定し,その微分形から.GeのTAフォノンのコヒーレントな放出と.GaAsのTAフォノンの非コヒーレントな励起が,障壁内での電子と不純物の相互作用によって生じることを見出した;写図2参11

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  ヘテロ接合
準シソーラス用語： GaAs ,  Ge-GaAs ,  コヒーレント ,  フォノン放出 ,  フォノン放出(コヒーレント/非コヒーレント) ,  ヘテロ接合(Ge-GaAs) ,  電流-電圧特性 ,  非コヒーレント

タイトルに関連する用語 (5件)： トンネル ,  ヘテロ接合 ,  TAフォノン ,  コヒーレント ,  誘導放出