文献
J-GLOBAL ID:201602003646185196   整理番号:71A0246304

飽和トランジスタに対する変形電荷制御理論

A modified charge-control theory for saturated transistors.
著者 (1件):
資料名:
巻: 26  号:ページ: 191-213  発行年: 1971年 
JST資料番号: D0313A  ISSN: 0031-7918  CODEN: PRREA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
コレクタがベースよりも低濃度の飽和状態にあるトランジスタのコレクタ領域に蓄積される電荷を解析した。蓄積電荷は,fTとhFEによる二つの異なった方法で.5けた以上にわたって測定した。この測定結果をこれまでの理論と比較した。さらに,この蓄積電荷と,これによる再結合電流を考慮にいれた変形電荷制御モデルを導いた。またこのモデルを用いて交流小信号等価回路を導き,この等価回路からコレクタ電荷蓄積の理論を検討した。この方が.fTとhFEによるこれまでの方法よりもさらに厳密である;写図12表1参18
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

タイトルに関連する用語 (4件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る