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J-GLOBAL ID：201602003675305443   整理番号：72A0033153

Ge中のらせん転位の電気効果

Electrical effects of screw dislocations in germanium.

著者 (2件)： COLLINS C V ,  MILES M H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 42  号： 13  ページ： 5644-5648  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多数のらせん転位アレイを含んだ塑性変形したGeの外来伝導度を調べた。転位はSbをドープしたGe円柱をねじることにより発生させ,転位密度はエッチピット法によって決定した。活性スリップ面上の転位アレイに平行及び垂直な電流に対するHall型試料について暗伝導度及び過渡及び定常光伝導度を測定した。その結果,らせん転位はGe中のアクセプタ準位には関係ないことがわかった;写図4表4参18

シソーラス用語： ゲルマニウム ,  暗電流
準シソーラス用語： らせん転位 ,  電気伝導率

タイトルに関連する用語 (2件)： Ge ,  らせん転位