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J-GLOBAL ID：201602003689468582   整理番号：65A0167155

N⁺NN⁺面接触シリコン半導体装置のTurnover現象とトランジスタの第二絶縁破かい

Turnover phenomenon of N4N N plate contact silicon device and second breakdown in transistors.

著者 (3件)： AGATSUMA T ,  KDHISA T ,  SUGIYAMA A
資料名： Plasma Phys Index  (Plasma Physics Index)
巻： 53  号： 1  ページ： 95  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0578A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU) 

抄録/ポイント： ThorntonおよびSimmonsが見出して以来トランジスタの第二絶縁破かい(SB)については多くの研究ずが行なわれたが,基本的な点で不明のことが多い。本文ではN⁺NN⁺面接触Si素子を作り多数キャリア電流だけが存在する条件を作り実験を行ない,トランジスタの第二絶縁破かいに似たTurnover現象を見出した。実験の結果からSBは単にトランジスタにのみ固有の現象ではなく,どのような構造をもつどんな半導体にもみられる現象で,固有電導の限界温度にのみ依存する現象であることを結論した;写1図1参9

タイトルに関連する用語 (5件)： 面接触 ,  シリコン ,  現象 ,  トランジスタ ,  絶縁