抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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一次の相転移点近傍で強誘電半導体SbSI中の超音波の異常吸収を理論的および実験的に研究した。準縦波の吸収係数の方向依存性を理論的に計算した。10-30MHzの振動数領域でパルス法により準縦波および準横波の速度と吸収係数を5°-30°Cで測定した。準横波では異常吸収は見つからない。分域構造が吸収に与える効果を研究した;写図5参17