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J-GLOBAL ID：201602003740643513   整理番号：70A0247552

SnO₂の電子ピームルミネセンス

Electron beam luminescence of Sn02.

著者 (3件)： KAWASAKI B S ,  GARSIDE B K ,  SHEWCHUN J
資料名： Proc IEEE  (Proceedings of the IRE)
巻： 58  号： 1  ページ： 179-180  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0378A  ISSN： 0018-9219  CODEN： IEEPAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SnO₂単結晶に電子ビームを照射する実験により,SnO₂がエネノレギーギャップ約2.6eVの間接遷移半導体であることを示した。スペクトルおよび出力強度曲線を示した。これらは,非常に広い波長の発光を示し,材料に利得のないことを示している;写図2参6

準シソーラス用語： SnO₂ ,  SnO₂(電子ビームルミネセンス) ,  電子ビームルミネセンス ,  電子ビームルミネセンス(SnO₂)

タイトルに関連する用語 (1件)： 電子