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J-GLOBAL ID：201602003755198460 整理番号：65A0019542
P(SiC)-N(CdS)接合の性質
О некоторых свойствах P(SiC) - n(CdS)-прехода.
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著者 (1件)：
САЛЬКОВ Е А
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資料名：
Fiz Tverd Tela (Fizika Tverdogo Tela)
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巻：
7
号：
1
ページ：
289-291
発行年：
1965年
JST資料番号：
R0029B
ISSN：
0367-3294
CODEN：
FTVTA
資料種別：
逐次刊行物 (A)
記事区分：
短報
発行国：
旧ソビエト連邦 (SUN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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P形SiCの上にN形CdS結晶を成長させて作ったPN接合の諸特性をしらべた。この接合は整流性があり,印加電圧10Vでの整流係数は,10
4
~10である。I-V特性には負抵抗領域がある。接合からは非常に強い発光がある。発光スペクトルは525と585mμに極大を持つ
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