抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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2MeVの電子線照射をしてから焼なましをするときの熱伝導度の変化を測定。照射で生じた低濃度の欠陥によるフォノンの強い散乱を観測。GaAsと異り熱抵抗の変化分は電子束の0.58乗に比例するし,KeyesやPyleの電子-フォノン散乱理論がGeのデータの解析に有用である;図6参35