抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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半導体は磁界中では易動度が減少して素子抵抗が増大する。しかしキャリアに働くロー1yyツカと釣合うホール電界が発生してある程度以上は易勦度は減少しない。そこで本文では次のような方法でこのホール電界の発生を防止している。溶融しているInbに1.8重量φのNiSbを入れ適当な温度プログラムで結晶化するとインゴットの長さ方向にNiSbの針状結晶が生ずる。すなわち工nSbとNiSbとは共晶を作る。このNiSbの伝導度は~7×104(ひ-cm)’1で母体結晶lnSbより約20φ大きい。この結晶を適当に切り出せば針状NiSbがホール電界の発生を阻止する短絡線として働き磁気抵抗効果を大にできる;写2図9滲6
