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J-GLOBAL ID：201602003906631837   整理番号：65A0165666

高周波電力用トランジスタとその発展

Les transistors haute frequence de puissance et leur evolution.

著者 (1件)： BRUNET M
資料名： Onde Electr  (Onde Electrique)
巻： 45  号： 456  ページ： 267-270  発行年： 1965年 
JST資料番号： D0247A  ISSN： 0030-2430  CODEN： ONELA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 文献レビュー  発行国： フランス (FRA) 

抄録/ポイント： 現在作られている電力用高周波トランジスタを概括したあと,次に生まれてくる電力用高周波トランジスタの電力,周波数について予想した。またこれらの進歩の原因をなすプラナー技術などの関連技術について述べた。Gc以上の分野ではエピタキシカルプラナーシリコンバラタタ,G・aAsパラタタなどを用いる周波数てい周波数てい倍が有利である。このほか将来については電界効果を利用したGaAs素子やメタルペーストランジスタも考慮されるであろう;図2表1

タイトルに関連する用語 (3件)： 高周波 ,  電力用トランジスタ ,  発展