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J-GLOBAL ID：201602003911547020   整理番号：71A0026052

ガリウムジエチルクロリド:エピタキシャルひ化ガリウムの作成のための新物質

Gallium diethyl chloride : A new substance in the preparation of epitaxial gallium arsenide.

著者 (3件)： LINDEKE K ,  SACK W ,  NICKL J J
資料名： J Electrochem Soc  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 117  号： 10  ページ： 1316-1318  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 0013-4651  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ひ化ガリウムエピタキシャル層の作成に当ってアルキルガリウム化合物に代えて.反応性の弱いガリウムジエチルクロリドをGa源として使用。このものとAsH,とのフラックスを用いた場合の(100)GaAs層の成長速度におよぽす温度,ガス流速,キャリア濃度および移動度の影響を求め,これら相互間の関係にもふれる。結果は.この物質が本目的に適当であることを示し,よりよい結果は出発物質が純粋なほどえられる;写図4表1参11

シソーラス用語： エピタクシー ,  ひ化ガリウム ,  フラックス法 ,  薄膜
準シソーラス用語： AsH₃系 ,  GaAs膜 ,  GaAs膜調製 ,  エチル ,  エピタキシャル膜 ,  エピタクシー(GaAs膜) ,  ガリウムクロリド ,  ガリウムクロリド/エチル(-AsH₃系/GaAs膜調製) ,  ひ化ガリウム(エピタキシャル膜) ,  フラックス法(GaAs膜調製) ,  薄膜(ひ化ガリウム)

タイトルに関連する用語 (3件)： エピタキシャル ,  ひ化ガリウム ,  物質