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J-GLOBAL ID：201602003946705175   整理番号：65A0007209

ほう素およびリチウムをドープしたシリコンの局在モードの測定

Localized mode measurements of boron-and lithium-doped silicon

著者 (2件)： SPITZER W G ,  WALDNER M
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 36  号： 8  ページ： 2450-2453  発行年： 1965年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA) 

抄録/ポイント： ほう素とリチウムをドープしたシリコンの赤外吸収を高分解能装置を用いて室温で測定した。ほう素およびリチウムの同位元素をドープした場合の吸収スペクトルのずれも測定した。ほう素とリチウムの対に関係した681,655,584,564および522cm^-1での吸収の強さは濃度2×10¹⁸~10²⁰cm^-3の範囲では濃度に比例する。ほう素の不対原子に関係した弱いバンドが644および620cm^-1に観測された。⁷Liの吸収522cm^-1は⁶Liでは534cm^-1に変わるが,ほう素の同位元素に対しては変化が殆んど認められなかった。他のバンドの周波数はほう素の同位元素に対して殆んどが依存する;図3表1参11

タイトルに関連する用語 (5件)： ほう素 ,  リチウム ,  ドープ ,  シリコン ,  局在モード