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J-GLOBAL ID：201602003976178994   整理番号：70A0030813

強誘電性Bi₄Ti₃O₁₂の作製と性質

Preparation and properties of epitaxial films of ferroelectric Bi₄Ti₃O₁₂.

著者 (3件)： TAKEI W J ,  FORMIGONI N P ,  FRANCOMBE M H
資料名： Appl Phys Lett  (Applied Physics Letters)
巻： 15  号： 8  ページ： 256-258  発行年： 1969年 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 蒸着過程でBi損失を補うため過剰Biを含む標的を用いてスパッタ法で膜を作った。MgOとエピタクシーPt下地上にエピタクシー成長を行わせる。スパッタ膜は高容量構造利用に対し安定である。ヒステリシス測定で求めたエピタクシー膜の自発分極はバルク単結晶の値と一致する;写図2表1参8

シソーラス用語： エピタクシー ,  ヒステリシス ,  強誘電体 ,  誘電率
準シソーラス用語： Bi₄Ti₃O₁₂ ,  スパッタ膜 ,  ヒステリシス(強誘電体)

タイトルに関連する用語 (3件)： 強誘電性 ,  作製 ,  性質