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J-GLOBAL ID：201602004062276510   整理番号：74A0039879

MNOS構造のトラップ関与電荷注入

Trap-assisted charge injection in MNOS structures.

著者 (2件)： SVENSSON C ,  LUNDSTROEM I
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 44  号： 10  ページ： 4657-4663  発行年： 1973年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化膜中のトラップへ直接トンネリングすることによってMNOS造の窒化膜中へのキャリヤーの注入について調べた。その結果,この注入機構は低い窒化物電界(1~4MV/cm)では薄い酸化層を持ったMNOS構造にとっては非常に重要であることがわかった。この注入電流の電界,温度および酸化膜厚依存性を理論的実験的に調べた。さらにこの機構が大低の絶縁体中の電荷輸送にとって非常に重要であることを指適する;写図11表1参14

シソーラス用語： MNOS構造 ,  トラップ
準シソーラス用語： 捕獲中心

タイトルに関連する用語 (3件)： MNOS構造 ,  トラップ ,  電荷注入