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J-GLOBAL ID：201602004123373122   整理番号：71A0031536

リチウムを拡散させたシリコンの焼なましの動力学方程式

Kinetic equation of annealing in lithium-diffused silicon.

著者 (1件)： FANG P H
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 8  ページ： 3453-3457  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 放射線損傷の異常焼なまし特性について議論。(1)室温での自然回復,(2)回復に対する酸素濃度の影響.(3)欠陥濃度の影響.(4)高度損傷の影響.(5)再損傷.などについて考察。自由なリチウムの濃度の時間依存性を考慮して動力学方程式を求めた;写図3表1参34

シソーラス用語： リチウム ,  回復 ,  格子欠陥 ,  焼なまし ,  照射損傷
準シソーラス用語： Si中 ,  シリコン ,  リチウム(Si中)

タイトルに関連する用語 (5件)： リチウム ,  拡散 ,  シリコン ,  焼なまし ,  動力学方程式