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J-GLOBAL ID：201602004166178188   整理番号：71A0038607

金属上における薄い酸化膜の生成:Cu(100)の酸化時における接触電位差の測定

Formation of very thin oxide films on metals : Contact potential measurements during the oxidation of (100) Cu.

著者 (1件)： BOGGIO J E
資料名： J Chem Phys  (Journal of Chemical Physics)
巻： 53  号： 9  ページ： 3544-3548  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0275A  ISSN： 0021-9606  CODEN： JCPSA6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金冒表面に生成される非常に薄い酸化膜に対して適用されたFromholdとCookの対電流法を,気体一酸化物の界面をトンネリングして来た電子の反射を考慮するように修正した。この修正から,低温の酸化反応において電子的あるいはイオン的な平衡が酸化物を通して広がっていくという仮説を導き出した。Cu(100)の単結晶と高純度.au多結晶の間の接触電位差の変化を測定し酸化物の両端にかかる電位差の予測値と比較した。理論値と実験値はよく一致した。nrpdinによる膜厚の測定と上述のCuの酸化モデルによる表現を比較、たが,定量的に一致した結果は得られなかつた;写図4参30

シソーラス用語： 吸着 ,  酸化 ,  酸化膜 ,  接触電位差 ,  銅
準シソーラス用語： Cu ,  吸着(酸素-銅) ,  酸化(銅) ,  酸化膜(Cu) ,  酸化膜生成 ,  酸素-銅 ,  接触電位差(表面酸化) ,  銅(酸化膜生成) ,  表面酸化

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化膜 ,  Cu ,  酸化 ,  接触電位差