抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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モノリシック記憶装置における集積回路の構成素子のバイポーラトランジスタと電界効果トランジスタの製法過程を述べた。バイポーラトランジスタを使用する集積回路としての利点は高速で,また一方,電界効果トランジスタを使用する集積回路としての利点は高い集積が得られ.低コストである。バイポーラフリップフロップ記憶細胞および電界効果トランジスタ記憶細胞の回路図を示し検討した。また記憶の特性および開発傾向を図示し検討;写図13参15