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J-GLOBAL ID：201602004168998735   整理番号：71A0036269

誘電体膜におけるショットキー電流

Schottky currents in dielectric films.

著者 (3件)： SCHUG J C ,  LILLY A C Jr ,  LOWITZ D A
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 1  号： 12  ページ： 4811-4818  発行年： 1970年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁体における放出一制限伝導のフランクーシモンの理論を調べた。Myler,SioおよびTa,O,絶縁膜に対する電流-電圧データを計算し,データを満たすに必要なパラメータ(仕事関数,誘電率,移動度一捕獲因子積など)を実験値と比較した。フランク・シモンモデルをポールーフレンケル効果と熱い電子効果の2つの項で解析し,2つの効果を含む方程式を導出した;写図9表2参11

準シソーラス用語： Frank-Simmons理論 ,  Schottky電流 ,  SiO ,  Ta₂O₅ ,  マイラー ,  誘電体膜

タイトルに関連する用語 (3件)： 誘電体膜 ,  ショット ,  キー