文献

J-GLOBAL ID：201602004172494474   整理番号：71A0031890

Si中のP拡散の実験条件依存性

Experimental-condition dependence of phosphorus diffusivity in silicon.

著者 (1件)： GHOSTAGORE R N
資料名： Phys Rev Lett  (Physical Review Letters)
巻： 25  号： 13  ページ： 856-858  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (111)Siにおける放射性Pの拡散を,空気中酸化層源および水素中ドープSi源(エビタクシー,多結晶,気相)から固有性条件の下で調べた。自由表面とredox反応が見かけのP拡散度に著しい効果を示すことが確認された;写図2参5

シソーラス用語： りん ,  拡散 ,  不純物拡散
準シソーラス用語： redox反応 ,  Si中 ,  シリコン ,  りん(Si中)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  拡散 ,  実験条件 ,  依存性