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J-GLOBAL ID:201602004175623828   整理番号:70A0250199

トランジスタにおける再結合,熱帰還およびフリッカ雑音

Recombination,thermal feedback and flicker noise in transistors.
著者 (1件):
資料名:
巻: 24  号:ページ: 169-178  発行年: 1970年 
JST資料番号: A0447A  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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トランジスタにおける1/f雑音の原因を統一的に説明するために,キヤリヤ再結合に基く発熱が帰還され,またキャリヤ発生を起すといった機構について考察した。その程度をあたってみると,MOSFETの場合は接合トランジスタよりもはるかに大きい1/f雑音を与え,実測値を説明できることがわかった。これはMOSFETの電流および電力密度が高く,Si-SiO2界面のトラップの密度が大きいことと酸化膜の熱伝導率の小さいことによっている;写図14表2参46
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