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J-GLOBAL ID：201602004185408496   整理番号：70A0035689

不純物散乱による77°KでのN形InSbの熱い電子マイクロ波増加伝導度

Hot electron microwave incremental conductivity of n-InSb at 77°K in the presence of impurity scattering.

著者 (2件)： MUKHOPADHYAY D ,  NAG B R
資料名： Phys Lett A  (Physics Letters. A)
巻： 32  号： 2  ページ： 107-108  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 77。KのN形InSbのイオン化不純物散乱の下での,熱い電子マイクロ波増加伝導度を,変位型マックスウェル分布関数を用いて計算する。高不純物濃度領域では,計算と実験は良く一致するが,低濃度領域では有意のずれが生ヒる;写図1参5

シソーラス用語： 熱い電子
準シソーラス用語： InSb ,  マイクロ波伝導率 ,  不純物散乱

タイトルに関連する用語 (5件)： 不純物散乱 ,  InSb ,  熱い電子 ,  マイクロ波 ,  伝導度