抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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S:Cへの良いオーミックコンタクトを探すため多数の金属合金を調べた。その結果,Cu-Ti共晶合金がSiCに880°Cでウェットし,P形Sicにオーミックな浅いコンタクトをすることがわかった。A1-Si共晶合金もSicに900~1000°Cでウェットし,P形SiCにオーミックにコンタクトし,浸入深さは300~500Aであることがわかった;写図5参5