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J-GLOBAL ID：201602004252224060   整理番号：70A0042293

多重フォノン領域におけるSiの赤外ピエゾ吸収

Infrared piezoa b sorption of silicon in the multiphonon spectral range.

著者 (1件)： LUTH H
資料名： Phys Status Solidi  (Physica Status Solidi)
巻： 39  号： 1  ページ： 131-138  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0599A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 東ドイツ (DDR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ピエゾ吸収の測定をSiについて多重フォノンのスペクトル領域(5(11)0。100(1)cm-,)で行なった。〔100〕軸に沿って一軸性応力を加え,光は応力軸に平行(ll〔100〕)または垂直(⊥〔100〕)に偏光させた。静水圧によって誘起された吸収定数の変化をその結果から計算した。ピエゾ吸収バンドの符号と位置は,Siにおける2フォノン吸収構造を与える臨界点に対するトポロジー的分類を与える;写図3参26

シソーラス用語： 静水圧 ,  赤外スペクトル
準シソーラス用語： シリコン ,  ピエゾ吸収スペクトル ,  多重フォノン

タイトルに関連する用語 (4件)： 多重 ,  フォノン ,  Si ,  赤外