抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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フェライトを用いてC帯およびS帯のマイクロ波のスイッチを製作した.C帯では出力1MWまで使用でき,スイッチングの時間は150μs,周波数帯5%以上でレベル差は35dB以上,挿入損失は1.2dB以下である.スイッチは導波管の一部をせまくしてフェライトをいれ,バイアス磁場をかけたときその周波数がカットオフされる様にする.大出力では磁場共鳴の非線形効果による損失が飽和して損失の率が低下することを利用して挿入損失を下げる.フェライトの冷却のためにはBeOを利用した