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J-GLOBAL ID：201602004379628209   整理番号：71A0031589

多量にドープしたN形GaAsの〈100〉伝導帯極小に関係した状態密度ティル

Density-of-states tails associated with the <100> conduction band minima in heavily doped n-type GaAs.

著者 (2件)： WINOGRAUOFF N N ,  OSINSKY V I
資料名： Solid State Commun  (Solid State Communications)
巻： 8  号： 23  ページ： 2001-2003  発行年： 1970年 
JST資料番号： H0499A  ISSN： 0038-1098  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 少量ドープしたN形GaAsの光ルミネセンスとちがって.多量にドープしたN形GaAsの温度の減少がバンドギャップの高エネルギー側のスペクトルを強くしまた広がりを起させる。この効果は多量にドープした材料の伝導帯の関接〈100>極小と関係したtf状態密度’ティルの存在のためであることを示す;写図2参17

シソーラス用語： ルミネセンス ,  状態密度 ,  伝導帯
準シソーラス用語： GaAs

タイトルに関連する用語 (4件)： ドープ ,  GaAs ,  伝導帯 ,  状態密度