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J-GLOBAL ID：201602004408978478   整理番号：74A0046541

Nb₃Ge薄膜超伝導体の上部臨界磁場

Upper critical fields of Nb₃Ge thin film superconductors.

著者 (4件)： FONER S ,  McNIFF E J Jr ,  GAVALER J R ,  JANOCKO M A
資料名： Phys Lett A  (Physics Letters. A)
巻： 47  号： 6  ページ： 485-486  発行年： 1974年 
JST資料番号： C0600B  ISSN： 0375-9601  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高いT,(~23K)をもっNb3Ge超伝導薄膜の上部臨界磁場Hc:(T)は4’2Kでほぼ370kGになる。低いTcをもっ膜についての測定では不均一性を反映して非常に幅の広い転移を示す。H(T)の特性は他のNb3X型第2種超伝導体と同じであった;写図2参5

シソーラス用語： 超伝導 ,  薄膜 ,  臨界磁場
準シソーラス用語： Nb₃Ge

タイトルに関連する用語 (3件)： 薄膜 ,  超伝導体 ,  上部臨界磁場