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J-GLOBAL ID:201602004433956977   整理番号:60A0014423

ドープした半導体,固溶体,定まった組成をもつ金属間化合物,などの均質な単結晶を成長させる方法

Метод выращивания однородных монокристаллов легированных полупроводниковых материалов, твердых растворов и интерметаллических соединений определенного состава, задаваемого составом расплава.
著者 (2件):
資料名:
巻:号:ページ: 747-755  発行年: 1960年 
JST資料番号: R0029B  ISSN: 0367-3294  CODEN: FTVTA   資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 旧ソビエト連邦 (SUN) 
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化学的な偏析係数,固体-溶融体境界面の移動速度,断面積に対する依存性,その他の点について,結晶の一様な成長に対する効果をしらべた

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