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J-GLOBAL ID：201602004437365990   整理番号：72A0038577

イオン化不純物に束縛されたエキシトン:エキシトンーイオン化ドナー複合体の結合エネルギーの計算

Excitons bound to ionized impurities : Calculation of the binding energies of exciton-ionized-donor complexes.

著者 (1件)： ELKOMOSS S G
資料名： Phys Rev B  (Physical Review. B. Solid State)
巻： 4  号： 10  ページ： 3411-3424  発行年： 1971年 
JST資料番号： D0746A  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Pekeτis.Fr。stの方法を展開して.半導体におけるエキシトン。イォン化不純物複合体に応用する。その際Hakenのエキシトンポテンシャルを一般化し,また相異なる粒子間の誘電定数は粒子問距離の関数である。それ以下で系が安定である臨界質量比は,波動関数のみならず,粒子問距離にも依存することがわかる。CdS,CdTe,ZnSe,ZnTe.ZnOに関する計算結果は実験と良い一致をみる;写図5表1参58

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  半導体 ,  励起子
準シソーラス用語： イオン化不純物 ,  励起子-ドナー複合体

タイトルに関連する用語 (8件)： イオン化 ,  不純物 ,  束縛 ,  エキシトン ,  ドナー ,  複合体 ,  結合エネルギー ,  計算