文献

J-GLOBAL ID：201602004478149827   整理番号：70A0036434

サファイア上のP形Siの超線形電流密度対電場

Superlinear current density vs electric field in P-type silicon-on-sapphire.

著者 (2件)： ROSS E C ,  WARFIELD G
資料名： J Appl Phys  (Journal of Applied Physics)
巻： 41  号： 6  ページ： 2657-2664  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア上のSiのエピタクシー層の大きな内部応力のためにSi格子は立方対称ではなくなり,R=Cでの価電子帯縮退がとけ,価電子帯は0.C15eVだけ分裂する。正孔エネルギーを下げるバンドは正孔エネルギーを上げるバンドより大きな有効質量を持つ。理論的計算の結果.平衡正孔濃度の電界誘起再分布によって有効正孔移動度が電場の増加と共に増加する事がわかった。この計算の実験による確認を行う;写図10参16

シソーラス用語： キャリア移動度 ,  サファイア ,  バンド構造 ,  基板 ,  電流密度
準シソーラス用語： サファイア(基板) ,  シリコン ,  応力効果 ,  応力効果(バンド構造) ,  超線形 ,  電流-電圧特性 ,  電流密度(超線形)

タイトルに関連する用語 (5件)： サファイア ,  P形Si ,  線形 ,  電流密度 ,  電場