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J-GLOBAL ID：201602004490034920   整理番号：71A0046096

シリコン中における拡散により誘起された不純物こう配の測定と推定

Measurement and evaluation of diffusion-induced impurity gradients in sillicon.

著者 (1件)： FOERSTNER G
資料名： Krist Tech  (Kristall und Technik)
巻： 5  号： 3  ページ： K7-K11  発行年： 1970年 
JST資料番号： B0738A  CODEN： KRTEA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 東ドイツ (DDR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4点法によって面電気伝導度を測定するのが最もふつうの方法であるが,これは非常に時間がかかる。ノモグラムを使って非常に早く,しかも精度を落さずに濃度こう配を算出する方法を考えた。P-N接合の位置と全体としての濃度C,がわかれば,接合部付近における不純物の分布を知ることができる。いろいろの方法で得た濃度こう配曲線を比較した;写図4参2

シソーラス用語： 拡散 ,  濃度こう配 ,  不純物
準シソーラス用語： P-N接合 ,  シリコン

タイトルに関連する用語 (6件)： シリコン ,  拡散 ,  誘起 ,  不純物 ,  こう配 ,  推定