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J-GLOBAL ID：201602004502768835   整理番号：70A0261756

Gunn効果ディジタル素子の性能評価

著者 (2件)： 柳井久義 ,  菅田孝ゆき
資料名： 電子通信学会半導体・トランジスタ研究会資料
号： 69-39  ページ： 1-18  発行年： 1970年 
JST資料番号： S0520A  資料種別： 抄録・索引 (I)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： Gunn効果ディジタル素子の性能は一般的にどの程度のものであるか,現状のICに対してどの辺に位置するか,また希望する性能を出し得る素子の形状,材料定数はどのような値であるかなどの疑問点を明りょうにする。まずこの素子の基本特性量について検討し,次に性能を表わすのに重要な特性量である電圧増幅度,ファンアウト,パルス幅と遅延時間との比,インピーダンスレベル,パワースピード比などを計算し,実験結果も考慮して,この素子の設計手順および性能評価を試みる。またこの素子の一応用例として超高速のパルス再生中継器の設計,性能評価および実験的に検討した結果を報告する;写図10表1参10

シソーラス用語： Gunn効果 ,  ディジタル素子
準シソーラス用語： 超高速パルス再生中継器

タイトルに関連する用語 (3件)： Gunn効果 ,  ディジタル素子 ,  性能評価