文献
J-GLOBAL ID：201602004527297250   整理番号：72A0257325

IMPATTダイオードの特性

Characterization of IMPATT diodes.
  • 出版者サイト 複写サービスで全文入手
  • 高度な検索・分析はJDreamⅢで
著者 (2件)：
WINTER A E

WINTER A E について

, 
MITCHELL R H

MITCHELL R H について


資料名：
Int J Electron  (International Journal of Electronics)

Int J Electron について


巻： 31  号： 5  ページ： 471-483  発行年： 1971年 
JST資料番号： C0287B  ISSN： 0020-7217  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
り一ド・アバランシェダイオードに対する集中モデルとダイオードのパッケージに対する等価回路を組合せ,完全なチップ・パッケ≧ジシステムを特性づける状態方程式を導いた。マイクロ波回路網解析かち得た結果を用い.全等価回路に対する構成素子の値を計算機プログラムで計算した。 この結果,等価回路から計算した反射係数が7-11GHzの周波数範駆にわたって5%以内の精度で測定値と一致する;写図15参10
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
IMPATTダイオード

IMPATTダイオード について

, 
アバランシェダイオード

アバランシェダイオード について

, 
ダイオードモデル

ダイオードモデル について


準シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ（有料）でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
半導体特性

半導体特性 について


タイトルに関連する用語 (1件)：
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです
IMPATTダイオード

IMPATTダイオード について


前のページに戻る

TOP

BOTTOM