抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
TmFeO
3,LuFe
2O
3などのorthoferriteの薄板でその面に垂直にC軸を成長させると,その面内に孤立した磁区を作り,これを移動させることができる。本報告では,その場合の円筒状磁区の安定性,ストリップ状磁区の安定性,静磁相互作用,装置応用などにつき,実験および理論上から論じている。円筒状磁区については,磁壁エネルギーと磁気モーメント4πMsが円筒状磁区の大きさを決定する重要な因子であるとしている;写図24表1参8