文献

J-GLOBAL ID：201602004626556577   整理番号：71A0034116

反応性スパッタリングによるタンタル膜の電気的性質の温度変化に及ぼす酸素の効果

Effect of oxygen on the temperature dependence of electrical properties of reactively sputtered tantalum films.

著者 (2件)： WATERHOUSE N ,  WESTWOOD W D
資料名： Can J Phys  (Canadian Journal of Physics)
巻： 49  号： 17  ページ： 2250-2263  発行年： 1971年 
JST資料番号： B0229A  ISSN： 0008-4204  CODEN： CJPHAD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： カナダ (CAN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素をほぼ60at%含む酸化タンタル膜のTCRが負である事実を説明するために電気抵抗(20~300°K)とホール係数(温當と77°K)を,測定した。常温の担体は~1022cm-3,ホール移動度は~1酬Vsである。これらの実験事実はTa膜のTa,O,で絶縁された粒状構造と「活性化されたトンネル伝導モデル」とでよく説明された;写図101表1参261

シソーラス用語： Hall効果 ,  タンタル ,  酸化タンタル ,  電気抵抗
準シソーラス用語： スパッタ膜 ,  トンネル伝導

タイトルに関連する用語 (5件)： 反応性スパッタリング ,  タンタル膜 ,  電気的性質 ,  温度変化 ,  酸素