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J-GLOBAL ID：201602004655404077   整理番号：70A0036845

77°K以下のP形InSb中の少数担体の再結合

Рекомбинация неравновесных носителей тока в р-1-nS b при температурах ниже 77°К.

著者 (4件)： СЕЙНОВ Э К ,  НАСЛЕДОВ Д Н ,  ПЕНЦОВ А В ,  ПОПОВ К Г
資料名： Fiz Tekh Poluprovo  (Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov)
巻： 4  号： 1  ページ： 179-185  発行年： 1970年 
JST資料番号： R0267A  ISSN： 0015-3222  CODEN： ETPPA   資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 旧ソビエト連邦 (SUN)  言語： ロシア語 (RU)

抄録/ポイント： 一連のP形InSb中の電子と正孔の寿命の温度変化を定常光伝導,光磁気効果,光伝導緩和の測定によってしらべた。正孔がアクセブタに凍結されるにつれて,8meVの浅いアクセプタ準位が再結合に重要な役割を果すようになる。正孔寿命は指数関数的に減少し,電子寿命は増大する。電子捕獲係数は2×10,6cm3/s;写図4参10

準シソーラス用語： InSb形 ,  キャリア再結合 ,  光磁気効果 ,  光伝導度

タイトルに関連する用語 (3件)： InSb ,  少数担体 ,  再結合