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J-GLOBAL ID：201602004676880367   整理番号：71A0245184

混成集積回路用Low-TCR-Kanthal抵抗薄膜

Low TCR kanthal resistive films for hybrid IC’s.

著者 (3件)： DHERE N G ,  SARMA G H ,  PARIKH N R
資料名： J Vac Sci Technol  (Journal of Vacuum Science & Technology)
巻： 7  号： 6  ページ： 588-592  発行年： 1970年 
JST資料番号： C0789A  ISSN： 0022-5355  CODEN： JVSTAL  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 混成集積回路の抵抗薄膜として用いられるKanthal合金(70%Fe,22%Cr,5.5%Al)の使用適性について,特に抵抗の温度依存性(TCR)が小さいことなどを1×10^-5Torrの真空中で調べた。温度は0.1°C,抵抗測定用ブリッジは±0.1%の誤差内に制御した。その結果通常のKanthalは密度7.1g/cm³,TCRは0°~400°Cの温度範囲で32.3ppm/°Cであるが,急速蒸発等の技術を導入することにより,面抵抗20Ω/sq~250Ω/sqの範囲内で10pPm程度のLow-TCR薄膜が得られることが明らかとなった;写図3表1参12

シソーラス用語： 集積回路 ,  蒸着 ,  真空 ,  抵抗 ,  薄膜
準シソーラス用語： カンタル合金 ,  鉄-クロム-アルミニウム合金

タイトルに関連する用語 (2件)： 混成集積回路 ,  薄膜